ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT53E256M16D1DS-046 AIT:B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT53E256M16D1DS-046 AIT:B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT53E256M16D1DS-046 AIT:B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 2.133 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53E256 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | OBSOLETE |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 AIT:B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT53E256M16D1DS-046 AIT:B | MT53E1G32D2NP-046 WT:A | MT53E1G32D4NQ-046 WT:E | MT53E256M32D2DS-053 AAT:B |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Box | Tray |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 16 | 1G x 32 | 1G x 32 | 256M x 32 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | 1.1V | 1.1V | 1.1V |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53E256 | MT53E1G32 | MT53E1G32 | MT53E256 |
| ความถี่นาฬิกา | 2.133 GHz | 2.133 GHz | 2.133 GHz | 1.866 GHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 95°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 105°C (TC) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | 32Gbit | 32Gbit | 8Gbit |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT53E256M16D1DS-046 AIT:B PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT53E256M16D1DS-046 AIT:B - Micron Technology Inc.
MT53E1G32D2NP-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
MT53E256M32D2DS-053Micron TechnologyMT53E1G32D4NQ-046 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGAMT53E256M32D2DS-053 AAT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53E256M32D2DS-046 AAT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMT53E256M16D1DS-046 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGAMT53E1G32D2NP-046 WTAMicron TechnologyMT53E1G64D4SQ-046 WTAMicron TechnologyMT53E256M16D1DS-046AATBMicron TechnologyMT53E1G32D2NP-046 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMT53E256M32D2DS-046Micron TechnologyMT53E1G64D4SQ-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ WFBGAMT53E1G32D4NQ-046 WT:FMicron Technology Inc.LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDPMT53E256M32D2DS-046 IT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
MT53E1G64D8NW-046 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGAMT53E256M16D1DS-046WT:BMicron TechnologyMT53E256M32D2DS-046 AATMicron TechnologyMT53E1G32D2NP-053 RS WT:AMicron Technology Inc.DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที